模擬，霍（huò）爾（ěr）式接近開關
位移量線性（xìng）傳感（gǎn）器, 霍（huò）爾位移傳（chuán）感器 ,電容式接近開關 ,磁（cí）感應線性傳感器,模擬量（liàng）接近開關
外形編號: XTH XTL XTM
外形（xíng）尺寸: M18X1X70 M30X1.5X75 40X40X118......
檢測距離: 埋入式:5mm 非埋入式:8mm - 埋入式:15mm非埋入式:20mm
電流型型號: XTH-05P1,XTH-K08P1,XTM-15P1,XTM-K20P1......
電壓型型號: XTH-05P2,XTH-K08P2,XTM-15P2,XTM-K20P2......
功耗 檢測時 ≤20mA ... < 4mA
功耗 無檢測時 ≤20mA
電（diàn）壓範圍: 15-30V DC
負載電阻 電 流 型: 0 ～ 300 Ω
負載電阻 電 壓 型: ≥500KΩ
輸 出 電 流 型: 4 ～ 20 mA
輸（shū） 出 電 壓 型: 0 ～ 10 V
輸出特性曲線: 略
允許電壓波動: ≤ 5%
空載電流（24V時） 40mA
輸出信號: PNP模（mó）擬
線性誤差: ≤2%
外（wài）殼材料: 金屬（shǔ）表麵處理/ABS塑料
溫（wēn）度飄移: ≤0.01mm／℃
重複精度: ≤１％
環境溫度: －25℃ ～85℃
防護等級 IP67
霍爾（ěr）式接近開關原理簡介（jiè）
具當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場（chǎng）中時，薄片的（de）兩端就會（huì）產生電位差，這種現象就（jiù）稱為霍爾（ěr）效應。兩（liǎng）端具有的電位差值（zhí）稱為霍爾電勢U，其表達式為
U=KIB/d
其中K為霍爾（ěr）係數，I為薄片中通（tōng）過的電流，B為外加（jiā）磁場（洛倫慈力Lorrentz）的磁感應強度，d是薄片的厚度。
由此可（kě）見，霍（huò）爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應（yīng）強度成正比的關係。
霍（huò）爾開關的輸入端是以磁感應強（qiáng）度B來表征的，當B值達到一定的程（chéng）度時，霍爾開關內部的觸發器翻轉，霍爾開關的輸（shū）出電平狀態也隨之翻轉。輸出端一般采用晶體管輸出，和接近開關類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙（shuāng）信號輸出之分。
霍爾開關具有無觸電、低功耗、長使用壽命（mìng）、響應頻率（lǜ）高等特點，內部（bù）采用環氧（yǎng）樹脂（zhī）封灌J4-D8V JCW-30QA JCW-40QA JCW-48QA NJK-5001C NJK-5001D NJK-5001A
NJK-5001B NJK-5002C NJK-5002D NJK-5002CD NJK-5002A NJK-5002B NJK-5002AB
NJK-8002C NJK-8002D NJK-8002CD NJK-8002A NJK-8002B NJK-8002AB NJK-5003C NJK-5003D NJK-5003CD NJK-5003A NJK-5003B NJK-5003AB |
