鎧裝鉑熱波膜電阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡單介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻CRZ係列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研製成粉漿，采用先進的（de）激光噴濺薄（báo）膜技術（shù）及光刻法（fǎ）和幹燥蝕刻法（fǎ）把附著在陶瓷基片上形成膜
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻
的詳細介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻（zǔ）
熱電（diàn）阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用於測量 -200℃～﹢800℃範圍內的溫度。其優（yōu）點是：偏差極小。由於它的良（liáng）好電（diàn）輸出（chū）性能，熱電阻（zǔ）可為顯示（shì）儀、記錄（lù）儀、調（diào）節儀、掃（sǎo）描儀（yí）及（jí）電腦提供精確的輸入（rù）值。
WZPK466U鎧裝鉑熱波膜電阻，WZPK-466U,的詳細資料：
1． 測溫範圍、允差（chà）
名稱 型號 分度號 測溫範圍 等級 允許偏差
鉑電阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅電阻 WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時（shí）,熱電阻的電阻值變（biàn）化至相當於該（gāi）階（jiē）躍變化的50%，所需要的時間稱為熱（rè）響應時間，用t0.5表示。
3.自熱（rè）影響
鉑電阻允許通過電流（liú）1mA，最大測量電流（liú）為（wéi）5mA，由此（cǐ）產生的升（shēng）溫不大於（yú）0.3℃。
4.電阻溫度係數（α）與標稱值的偏差（chà）
名稱 等級 α α
鉑電阻 A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅電阻 0．004280 ±0.000020
5.絕（jué）緣電阻
當（dāng）周圍空氣（qì）溫度15-35℃和相對濕度小於80%時熱（rè）電阻絕緣電阻不小於100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
一、 概述
CRZ係（xì）列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研製成粉漿，采用先進（jìn）的激（jī）光噴濺薄膜技術及光刻法和幹燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過（guò）激光調阻製成，完（wán）全（quán）自動的生產程序保證了產品完全符合IEC標準。
二、 技（jì）術特點
1． 薄膜鉑熱電（diàn）阻元件用陶瓷和鉑（bó）製成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合（hé）在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層（céng），因而它具有良好的防震和防衝擊性（xìng）能。
3． 薄膜（mó）表麵蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高（gāo）壓，並具有（yǒu）良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和（hé）純鈀兩種。
5． 規格：
型號 規格
長（zhǎng）×寬×高 阻值 測量電流 精度 測量範圍 熱響應時間（jiān）
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精度：
等級 α 0℃時的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
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