模擬，霍爾式接近開關
位移量線性傳感器, 霍爾位移傳感器 ,電容式接近開關 ,磁感應線性傳感器,模（mó）擬量接近開關
外（wài）形編（biān）號: XTH XTL XTM
外形尺寸: M18X1X70 M30X1.5X75 40X40X118......
檢測距離: 埋入式:5mm 非埋入式:8mm - 埋入式:15mm非埋入式:20mm
電流型型號: XTH-05P1,XTH-K08P1,XTM-15P1,XTM-K20P1......
電壓型（xíng）型號: XTH-05P2,XTH-K08P2,XTM-15P2,XTM-K20P2......
功耗 檢測時 ≤20mA ... < 4mA
功耗 無檢測時 ≤20mA
電壓範圍: 15-30V DC
負載電阻 電 流（liú） 型: 0 ～ 300 Ω
負載電阻 電 壓 型: ≥500KΩ
輸 出（chū） 電 流 型: 4 ～ 20 mA
輸 出 電 壓 型: 0 ～ 10 V
輸出特性（xìng）曲線: 略
允許電（diàn）壓波動: ≤ 5%
空載電流（liú）（24V時） 40mA
輸出信號: PNP模擬
線性誤差: ≤2%
外殼（ké）材料: 金屬表麵（miàn）處理/ABS塑料
溫度飄移: ≤0.01mm／℃
重複精度: ≤１％
環境溫度: －25℃ ～85℃
防（fáng）護等級 IP67
霍爾式接近開關原理簡介（jiè）
具當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產（chǎn）生電位差，這（zhè）種現象就稱為（wéi）霍爾效應。兩端具有的電位（wèi）差值（zhí）稱為霍爾電勢（shì）U，其表達式為
U=KIB/d
其中（zhōng）K為霍（huò）爾係數，I為薄片中通過的電流，B為外加（jiā）磁（cí）場（chǎng）（洛倫慈力Lorrentz）的磁（cí）感應強度，d是薄片的厚度。
由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與（yǔ）外加磁場（chǎng）的磁感應（yīng）強度成正比的關係。
霍爾開關的輸入端是以磁感（gǎn）應強度B來表征的，當B值達到一定的程度時，霍爾開關內部的觸發器翻轉，霍爾開關的輸出（chū）電平狀態（tài）也隨之翻轉。輸（shū）出端一般采用晶體管輸出，和接近開關（guān）類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙信號輸出之分。
霍（huò）爾（ěr）開關具有無觸電、低功耗、長使用壽命、響應頻率高等特點，內部采用環氧樹脂封灌J4-D8V JCW-30QA JCW-40QA JCW-48QA NJK-5001C NJK-5001D NJK-5001A
NJK-5001B NJK-5002C NJK-5002D NJK-5002CD NJK-5002A NJK-5002B NJK-5002AB
NJK-8002C NJK-8002D NJK-8002CD NJK-8002A NJK-8002B NJK-8002AB NJK-5003C NJK-5003D NJK-5003CD NJK-5003A NJK-5003B NJK-5003AB |
