鎧裝鉑熱波膜電阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡單介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻CRZ係列薄膜鉑熱（rè）電（diàn）阻元件是把金屬鉑（bó）研製成粉漿，采（cǎi）用先進（jìn）的激光噴濺薄膜技術及光刻法和幹燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成（chéng）膜
WZPK-466U|鎧（kǎi）裝鉑熱波膜電阻（zǔ）
的詳（xiáng）細介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱（rè）波膜電阻
熱電阻的工作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用於（yú）測量 -200℃～﹢800℃範圍內的溫度。其優點是：偏差極小。由於它的（de）良好電輸出性能，熱電阻可為顯（xiǎn）示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀（yí）及（jí）電腦提供精（jīng）確的（de）輸入值（zhí）。
WZPK466U鎧裝鉑熱（rè）波膜電阻，WZPK-466U,的詳細資（zī）料：
1． 測溫範圍、允差
名稱 型號 分度號 測溫範圍 等（děng）級 允許偏差
鉑電阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅電阻 WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響應時間
在溫度出現階躍變（biàn）化時,熱電阻的電阻值變（biàn）化至相當於該（gāi）階躍變化（huà）的50%，所（suǒ）需要的時間稱為熱響（xiǎng）應時間，用t0.5表示。
3.自（zì）熱影響
鉑電阻允（yǔn）許通過電流（liú）1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的（de）升（shēng）溫不大於0.3℃。
4.電阻溫（wēn）度（dù）係數（shù）（α）與標稱值的偏差
名稱 等級 α α
鉑電阻（zǔ） A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅電阻 0．004280 ±0.000020
5.絕緣電阻（zǔ）
當（dāng）周圍空（kōng）氣溫度15-35℃和相對濕度（dù）小於80%時熱電（diàn）阻絕緣電阻不小於100MΩ。
薄膜（mó）鉑電阻元件
一、 概述
CRZ係列薄（báo）膜鉑熱電阻元件是把金（jīn）屬鉑研製成粉漿（jiāng），采用先進的激（jī）光噴濺薄膜技術及（jí）光刻法和幹燥蝕刻法把（bǎ）附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光（guāng）調阻製成，完全自動的生（shēng）產（chǎn）程序保證了產品完（wán）全符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑製成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫（wēn）度下使用。
2． 鉑（bó）薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的（de）防震和防衝（chōng）擊性能。
3． 薄（báo）膜表（biǎo）麵蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，並具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金（jīn）和純鈀兩種。
5． 規格：
型號 規格
長×寬×高 阻（zǔ）值 測量電流 精度 測（cè）量範圍 熱響應時間
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精度：
等級 α 0℃時的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
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