鎧裝鉑熱波膜電阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡單介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜（mó）電阻CRZ係列薄膜鉑（bó）熱電阻元件是把金屬（shǔ）鉑研製成粉漿，采用先（xiān）進的（de）激光噴濺薄膜技術及（jí）光刻法（fǎ）和（hé）幹燥蝕（shí）刻（kè）法把附（fù）著（zhe）在陶瓷基片上形成膜
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻
的詳細介紹
WZPK-466U|鎧（kǎi）裝鉑熱波（bō）膜電阻
熱電阻的工作原理：在溫度的作（zuò）用下，電阻絲的電（diàn）阻隨之變化而變化。可用於（yú）測量 -200℃～﹢800℃範圍（wéi）內的溫度。其優（yōu）點是：偏差極小。由於它的良好電輸（shū）出性能（néng），熱（rè）電阻可為顯示儀、記錄（lù）儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的（de）輸入值。
WZPK466U鎧裝鉑熱波（bō）膜電阻，WZPK-466U,的詳細資料：
1． 測溫（wēn）範圍、允差
名稱 型（xíng）號 分度號 測溫範圍 等級 允許偏差
鉑（bó）電阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅電阻 WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電（diàn）阻的電阻值變化至相當於該階躍變化的（de）50%，所需（xū）要（yào）的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此（cǐ）產生的升（shēng）溫不大於0.3℃。
4.電阻溫度係數（α）與標稱值的偏差
名稱 等級 α α
鉑電阻（zǔ） A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅電阻（zǔ） 0．004280 ±0.000020
5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小於80%時熱電阻絕緣電（diàn）阻不（bú）小於100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
一、 概（gài）述
CRZ係列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研製（zhì）成粉漿，采用先進的激（jī）光噴濺薄膜技術及光刻法和幹燥蝕刻法把附著在陶（táo）瓷基片上形（xíng）成（chéng）膜，引線（xiàn）經過激光調阻（zǔ）製成，完全自動的生產程序保證了產品完（wán）全符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶（táo）瓷和鉑製成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表（biǎo）層，因而它具（jù）有良好的防（fáng）震和防衝擊性能。
3． 薄膜表麵蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，並具有良（liáng）好的絕緣（yuán）性（xìng）。
4． 引線材料為鎳（niè）鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
型號 規格
長×寬×高 阻值 測量電流 精度 測（cè）量範圍 熱響應（yīng）時間
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精度：
等級 α 0℃時的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
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