鎧裝鉑（bó）熱波膜電（diàn）阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡單介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻CRZ係列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑（bó）研製成粉漿（jiāng），采用先進的激光噴濺薄膜技術及光刻法和幹燥蝕（shí）刻法（fǎ）把附著在陶瓷基片上形成膜
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜（mó）電阻
的詳細介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻
熱電阻的工作原理：在（zài）溫（wēn）度的作用下，電阻（zǔ）絲的電（diàn）阻隨之變化而變（biàn）化。可用於測量 -200℃～﹢800℃範圍內的溫度。其優點是：偏（piān）差極小。由於它的良好電輸出性能（néng），熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精（jīng）確的輸入值。
WZPK466U鎧裝鉑熱波膜電阻，WZPK-466U,的（de）詳細資料：
1． 測溫範圍（wéi）、允差
名稱 型（xíng）號 分度號 測溫（wēn）範圍 等級 允許偏差
鉑電阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅電阻 WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響應時間（jiān）
在溫（wēn）度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當於該階躍變化的50%，所需（xū）要的時（shí）間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許（xǔ）通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大於0.3℃。
4.電阻溫度係數（α）與標稱值的偏差
名稱 等級 α α
鉑電阻 A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅（tóng）電阻 0．004280 ±0.000020
5.絕緣電阻
當周圍空（kōng）氣溫度15-35℃和相對濕度小於80%時熱（rè）電（diàn）阻絕緣電阻不小於100MΩ。
薄膜鉑電阻元件（jiàn）
一、 概述
CRZ係列薄膜鉑熱電阻元件（jiàn）是把金屬鉑（bó）研製成粉漿，采用先進的激光噴（pēn）濺薄膜技術及光刻法和幹燥蝕刻（kè）法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻製成，完全（quán）自動（dòng）的生產程序保（bǎo）證了（le）產品完全（quán）符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑製成，因（yīn）而在（zài）高溫下能夠保持（chí）優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層（céng），因（yīn）而它（tā）具有（yǒu）良（liáng）好的防震和防衝擊性能。
3． 薄（báo）膜表麵蓋以陶瓷，因（yīn）而元件能夠承受高壓，並具（jù）有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳（niè）鍍金和純鈀（bǎ）兩種。
5． 規格：
型號 規格
長（zhǎng）×寬×高 阻（zǔ）值 測量電流 精度 測量範圍 熱響（xiǎng）應時間
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精度：
等級 α 0℃時的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
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