鎧裝鉑熱波膜電阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡單介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波（bō）膜電阻CRZ係列薄膜鉑（bó）熱電阻元件是把（bǎ）金屬鉑研製成粉漿（jiāng），采用先（xiān）進的激光噴濺薄膜技（jì）術及（jí）光刻法（fǎ）和幹燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜
WZPK-466U|鎧裝（zhuāng）鉑熱波膜電阻
的詳細介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑（bó）熱波膜電阻
熱電阻的工（gōng）作原理：在（zài）溫（wēn）度的作（zuò）用下，電阻絲的電（diàn）阻隨之變化而變化。可用於測量 -200℃～﹢800℃範圍內的（de）溫度。其優（yōu）點是：偏差極小。由於（yú）它的良（liáng）好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄儀（yí）、調節儀、掃描儀（yí）及電腦提供精確的（de）輸入（rù）值。
WZPK466U鎧（kǎi）裝鉑熱波膜電（diàn）阻，WZPK-466U,的（de）詳細（xì）資料（liào）：
1． 測溫範（fàn）圍、允差
名稱 型號 分度號 測溫範圍 等級 允許（xǔ）偏差
鉑（bó）電阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅電（diàn）阻 WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱（rè）電阻的電阻值變化至相當於該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測（cè）量電流（liú）為5mA，由此產生的升溫（wēn）不大於0.3℃。
4.電阻溫（wēn）度係數（α）與標稱值（zhí）的偏差
名稱 等級 α α
鉑電阻 A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅電阻 0．004280 ±0.000020
5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小於80%時熱電阻絕緣電阻（zǔ）不小於100MΩ。
薄膜鉑電阻元件（jiàn）
一、 概述
CRZ係列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研製成（chéng）粉漿，采用先進的激光噴濺薄（báo）膜技術及光刻法和幹燥蝕刻法把附（fù）著在陶瓷基片上形成膜，引（yǐn）線經過激光調阻製成，完全（quán）自動的生（shēng）產程序保證了產品完全符合IEC標準（zhǔn）。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱（rè）電阻元件用陶瓷（cí）和鉑製成，因而在高溫下（xià）能夠保持優良的穩（wěn）定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而（ér）它具有良好的防震和防衝（chōng）擊性能。
3． 薄膜表麵蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，並具有良好的（de）絕緣性。
4． 引線材料為（wéi）鎳鍍金和純鈀（bǎ）兩種。
5． 規格：
型（xíng）號 規格
長×寬×高 阻值 測量電流（liú） 精（jīng）度 測量範圍 熱響（xiǎng）應時（shí）間
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精度：
等級 α 0℃時的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
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