鎧裝鉑熱波膜電阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡單（dān）介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻CRZ係列薄（báo）膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研（yán）製成粉漿，采用（yòng）先進的激光噴濺薄膜技術及光刻法和幹燥蝕刻法把（bǎ）附著在陶瓷基片上形成膜
WZPK-466U|鎧裝鉑（bó）熱波膜電阻
的詳（xiáng）細介紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻
熱電阻的工（gōng）作原理：在溫度的作用下，電阻絲的電（diàn）阻隨之變化而變化。可用於測量 -200℃～﹢800℃範圍內（nèi）的溫度。其優點是（shì）：偏差（chà）極小。由於它的良好電輸出性能，熱電阻可為顯示儀、記錄（lù）儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
WZPK466U鎧裝鉑熱波膜電阻，WZPK-466U,的詳細資（zī）料：
1． 測溫範圍、允差
名稱 型號 分度號 測溫（wēn）範圍（wéi） 等級 允許偏差
鉑電阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅電阻 WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響（xiǎng）應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至（zhì）相當於該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響（xiǎng）應時間，用（yòng）t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許（xǔ）通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此（cǐ）產（chǎn）生的升（shēng）溫不大於0.3℃。
4.電阻溫度係數（α）與標（biāo）稱值的（de）偏差
名稱 等級 α α
鉑電阻 A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅電阻 0．004280 ±0.000020
5.絕緣（yuán）電阻
當（dāng）周圍空氣溫度15-35℃和相（xiàng）對濕度小於80%時熱電阻絕緣電阻不小於（yú）100MΩ。
薄膜（mó）鉑（bó）電阻元件
一、 概述
CRZ係列薄膜鉑熱電（diàn）阻元件是把金屬鉑（bó）研製成粉漿，采用（yòng）先進的激光噴（pēn）濺薄膜技術及光刻法和幹燥蝕刻法把（bǎ）附著在陶瓷（cí）基（jī）片上形（xíng）成膜，引（yǐn）線經過激光調（diào）阻製成，完全自動的（de）生產程序保證了產品完全符合（hé）IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑（bó）製成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的（de）溫（wēn）度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防衝（chōng）擊性能。
3． 薄（báo）膜表麵蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，並具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀（bǎ）兩種。
5． 規格：
型號 規格
長×寬（kuān）×高 阻值 測量電流 精度 測量範圍 熱響應時（shí）間（jiān）
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精度：
等（děng）級 α 0℃時的電（diàn）阻值（Ω） 允許偏差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
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